Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BIN
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AS4C64M16D3-12BIN
101-AS4C64M16D3-12BIN
存储器
96-TFBGA
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IC DRAM 1G PARALLEL 96FBGA
1最小包装量--
AS4C64M16D3-12BIN详情
Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3-12BIN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
96-TFBGA
表面安装
YES
引脚数
96
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~95°C TC
包装
Tray
已出版
2010
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
96
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.32
电压 - 供电
1.425V~1.575V
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
1.5V
端子间距
0.8mm
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
工作电源电压
1.5V
电源电压-最大值(Vsup)
1.575V
电源电压-最小值(Vsup)
1.425V
内存大小
1Gb 64M x 16
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
时钟频率
800MHz
访问时间
20ns
内存格式
DRAM
内存接口
Parallel
组织结构
64MX16
内存宽度
16
写入周期时间 - 字符、页面
15ns
地址总线宽度
13b
密度
1 Gb
长度
13mm
座位高度(最大)
1.2mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
AS4C64M16D3-12BIN拓展信息
Alliance Memory, Inc.
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