Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOD11S60

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

208W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4.1V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

aMOS™

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

208W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

399m Ω @ 3.8A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

545pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.399Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45A

DS 击穿电压-最小值

600V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant