Infineon Technologies IPD60R380E6BTMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.6A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

83W Tc

Turn Off Delay Time

56 ns

操作温度

-55°C~155°C TJ

包装

Bulk

系列

CoolMOS™

已出版

2013

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 3.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 300μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

32nC @ 10V

上升时间

9ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

10.6A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

650V

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

场效应管特性

超级交界处

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant