Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6362
- 收藏
- 对比
AON6362
110-AON6362
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerSMD, Flat Leads
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 30V 27A DFN
--最小包装量--
AON6362详情
Alpha & Omega Semiconductor Inc. AON6362重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerSMD, Flat Leads
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
27A Ta 60A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
6.2W Ta 31W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.2m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
820pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
13nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
60A
漏极-源极导通最大电阻
0.0086Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100A
DS 击穿电压-最小值
30V
雪崩能量等级(Eas)
7 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
AON6362拓展信息
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.









哦! 它是空的。