American Power Devices Inc APM3055NGC-TRL

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Part Package Code

D2PAK

Ihs Manufacturer

ANPEC ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

有

Drain Current-Max (ID)

4.3 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AA

漏极-源极导通最大电阻

0.1 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR