AMI Semiconductor DTA113EM3T5G
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DTA113EM3T5G
137-DTA113EM3T5G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
SOT-723
大陆
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DTA113EM3T5G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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DTA113EM3T5G详情
AMI Semiconductor DTA113EM3T5G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Gold
底架
Bulkhead, Front Side Nut, Panel
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-723
引脚数
8
供应商器件包装
SOT-723
RoHS
Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
Crimp
连接器类型
Receptacle
定位的数量
8
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
紧固类型
Threaded
功率 - 最大
260mW
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 5mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻基(R1)
1 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
1 kOhms
评级结果
抗环境干扰
DTA113EM3T5G拓展信息
AMI Semiconductor
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