FDFS2P102A
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AMI Semiconductor FDFS2P102A

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型号

FDFS2P102A

utmel 编号

137-FDFS2P102A

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

FDFS2P102A datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel

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FDFS2P102A AMI Semiconductor

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FDFS2P102A详情

AMI Semiconductor FDFS2P102A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 供应商器件包装

    8-SO

  • Lead Free Status / RoHS Status

    Lead free / RoHS Compliant

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3.3A (Ta)

  • Other Names

    FDFS2P102A_NL FDFS2P102A_NLTR FDFS2P102A_NLTR-ND FDFS2P102ATR

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    900mW (Ta)

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    PowerTrench®

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    125 mOhm @ 3.3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    182pF @ 10V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    3nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

0个相似型号

FDFS2P102A拓展信息

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