AMI Semiconductor FDFS2P103

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

8-SOIC

Power Dissipation (Max)

900mW (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Other Names

FDFS2P103_NLCT FDFS2P103_NLCT-ND FDFS2P103CT

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.3A (Ta)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

包装

Cut Tape (CT)

系列

PowerTrench®

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

59 mOhm @ 5.3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

528pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±25V

场效应管特性

Schottky Diode (Isolated)