AMI Semiconductor FQT7N10TF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件包装

SOT-223-4

Voltage, Rating

150 V

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.7A (Tc)

Other Names

FQT7N10TF-ND FQT7N10TFTR

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

QFET®

包装

Tape & Reel (TR)

容差

0.5 %

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

温度系数

25 ppm/°C

电阻

2.37 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

125 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

350 mOhm @ 850mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±25V

场效应管特性

-

高度

650 µm