AMI Semiconductor MUN2140T1G
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MUN2140T1G
137-MUN2140T1G
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MUN2140T1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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MUN2140T1G详情
AMI Semiconductor MUN2140T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Panel
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SC-59
Voltage, Rating
110 V
Contact Materials
Gold, Silver
RoHS
Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
Tab
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
深度
1.68 mm
接头数量
2
极数
2
投掷配置
DPDT
功率 - 最大
230mW
机械寿命
100 kcycles
触点额定电流
20 A
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻基(R1)
47 kOhms
宽度
930 µm
评级结果
IP68
MUN2140T1G拓展信息
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