Analog Devices DS1225Y-200IND
- 收藏
- 对比
DS1225Y-200IND
153-DS1225Y-200IND
存储器
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
大陆
立即发货

NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP
1最小包装量--
DS1225Y-200IND详情
Analog Devices DS1225Y-200IND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP Module (0.600, 15.24mm)
引脚数
28
供应商器件包装
28-EDIP
RoHS
Compliant
Memory Types
Non-Volatile, RAM, SRAM
Package
Tube
Base Product Number
DS1225Y
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
Obsolete
包装
Bulk
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
工作电源电压
5 V
界面
Parallel
最大电源电压
5.5 V
最小电源电压
4.5 V
内存大小
8 kB
访问时间
200 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8 b
写入周期时间 - 字符、页面
200ns
密度
64 kb
组织的记忆
8K x 8
辐射硬化
无
DS1225Y-200IND拓展信息
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices







哦! 它是空的。