DS1225Y-200IND
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Analog Devices DS1225Y-200IND

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型号

DS1225Y-200IND

utmel 编号

153-DS1225Y-200IND

商品类别

存储器

封装

28-DIP Module (0.600, 15.24mm)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP

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DS1225Y-200IND
DS1225Y-200IND Analog Devices NVRAM NVSRAM Parallel 64K-Bit 5V 28-Pin EDIP

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DS1225Y-200IND详情

Analog Devices DS1225Y-200IND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    28-DIP Module (0.600, 15.24mm)

  • 引脚数

    28

  • 供应商器件包装

    28-EDIP

  • RoHS

    Compliant

  • Memory Types

    Non-Volatile, RAM, SRAM

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    DS1225Y

  • 厂商

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • Product Status

    Obsolete

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 系列

    -

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 技术

    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

  • 电压 - 供电

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作电源电压

    5 V

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    5.5 V

  • 最小电源电压

    4.5 V

  • 内存大小

    8 kB

  • 访问时间

    200 ns

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    8 b

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    200ns

  • 密度

    64 kb

  • 组织的记忆

    8K x 8

  • 辐射硬化

0个相似型号

技术文档: Analog Devices DS1225Y-200IND.

DS1225Y-200IND拓展信息

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