DS1265W-100
DS1265W-100

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Analog Devices DS1265W-100

  • 收藏
  • 对比

型号

DS1265W-100

utmel 编号

153-DS1265W-100

商品类别

存储器

封装

36-DIP Module (0.610, 15.49mm)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
DS1265W-100
DS1265W-100 Analog Devices IC NVSRAM 8MBIT PARALLEL 36EDIP

请发送询价,我们将立即回复。

库存:1255

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

DS1265W-100详情

Analog Devices DS1265W-100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    36-DIP Module (0.610, 15.49mm)

  • 安装类型

    通孔

  • 引脚数

    36

  • 供应商器件包装

    36-EDIP

  • Package

    Tube

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • Product Status

    Obsolete

  • 厂商

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • Base Product Number

    DS1265W

  • RoHS

    Compliant

  • 系列

    -

  • 操作温度

    0°C ~ 70°C (TA)

  • 包装

    Bulk

  • 最高工作温度

    70 °C

  • 最小工作温度

    0 °C

  • 技术

    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

  • 电压 - 供电

    3V ~ 3.6V

  • 频率

    100 GHz

  • 工作电源电压

    3.3 V

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    3.6 V

  • 最小电源电压

    3 V

  • 内存大小

    8Mbit

  • 工作电源电流

    50 mA

  • 访问时间

    100 ns

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    8 b

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    100ns

  • 密度

    8 Mb

  • 组织的记忆

    1M x 8

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

技术文档: Analog Devices DS1265W-100.

DS1265W-100拓展信息

DS1250YP-70IND
DS1250YP-70IND

Analog Devices

DS1245AB-120
DS1245AB-120

Analog Devices

DS1270AB-100
DS1270AB-100

Analog Devices

DS2505P
DS2505P

Analog Devices

DS1245Y-85
DS1245Y-85

Analog Devices

DS1350WP-150
DS1350WP-150

Analog Devices

DS1350YP-100
DS1350YP-100

Analog Devices

DS1225Y-200IND
DS1225Y-200IND

Analog Devices

DS1250W-150
DS1250W-150

Analog Devices

DS1230AB-120
DS1230AB-120

Analog Devices

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z