Analog Devices DS1230WP-100IND
- 收藏
- 对比
DS1230WP-100IND
153-DS1230WP-100IND
存储器
34-PowerCap™ Module
大陆
立即发货

DS1230 3.3 VOLT, 256 K NV SRAM
1最小包装量--
DS1230WP-100IND详情
Analog Devices DS1230WP-100IND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
34-PowerCap™ Module
引脚数
34
供应商器件包装
34-PowerCap Module
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Sunbank
Brand
Sunbank / Souriau
Package
Bulk
厂商
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Product Status
活跃
Memory Types
Non-Volatile
RoHS
Compliant
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
子类别
Circular Connectors
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
工作电源电压
3.3 V
界面
Parallel
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
3 V
内存大小
256Kbit
访问时间
100 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8 b
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
产品类别
圆形MIL规格后壳
密度
256 kb
产品类别
圆形MIL规格后壳
组织的记忆
32K x 8
辐射硬化
无
DS1230WP-100IND拓展信息
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices
Analog Devices







哦! 它是空的。