Analog Devices DS1350WP-100
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DS1350WP-100
153-DS1350WP-100
存储器
0805 (2012 Metric)
大陆
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Ram Nv 4MEG 3.3V Bm Pcap 100NS
1最小包装量--
DS1350WP-100详情
Analog Devices DS1350WP-100重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 1 month ago)
包装/外壳
0805 (2012 Metric)
安装类型
表面贴装
引脚数
34
供应商器件包装
0805
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
RN73R2A
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Manufacturer Lifecycle Status
PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
RoHS
Compliant
Memory Types
Non-Volatile, RAM, SRAM
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Supply Voltage-Min
3 V
Interface Type
Parallel
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RN73R
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.079 L x 0.049 W (2.00mm x 1.25mm)
容差
±0.5%
终止次数
2
温度系数
±50ppm/°C
电阻
820 kOhms
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
-40 °C
组成
Thin Film
功率(瓦特)
0.125W, 1/8W
技术
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
频率
100 GHz
工作电源电压
3.3 V
失败率
-
界面
Parallel
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
3 V
内存大小
512 kB
工作电源电流
50 mA
访问时间
100 ns
内存格式
NVSRAM
内存接口
Parallel
数据总线宽度
8 b
组织结构
512 k x 8
写入周期时间 - 字符、页面
100ns
密度
4 Mb
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
组织的记忆
512K x 8
座位高度(最大)
0.024 (0.60mm)
辐射硬化
无
无铅
无铅
评级结果
AEC-Q200
DS1350WP-100拓展信息
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