Analog Devices Inc. MAT03EHZ

触点镀层

Gold

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

36V

Collector-Emitter Saturation Voltage

100mV

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e4

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

500mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

基本部件号

MAT03

引脚数量

6

极性

PNP

元素配置

Dual

功率耗散

500mW

晶体管应用

AMPLIFIER

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

36V

最大集电极电流

20mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

100mV @ 100μA, 1mA

最高频率

10kHz

转换频率

190MHz

频率转换

190MHz

集电极基极电压(VCBO)

36V

最小直流增益（hFE）

100

VCEsat-最大值

0.1 V

直径

9.4mm

高度

4.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅