BI Technologies OPB609RA

底架

通孔

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

Box

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

输出电压

30 V

输出类型

Phototransistor

功率耗散

75 mW

正向电流

20 mA

正向电压

1.7 V

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

50 mA

感应距离

2.79 mm

反向击穿电压

5 V

反向电压

5 V

波长

940 nm

输入电流

20 mA

无铅

无铅