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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 AT-41500-GP4
AT-41500-GP4
AT-41500-GP4

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Broadcom Limited AT-41500-GP4

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型号

AT-41500-GP4

品牌

Broadcom Limited

utmel 编号

354-AT-41500-GP4

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 射频

封装

Die

交货地

大陆

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ROHS

ECAD

简介

Transistors RF Bipolar Transistor Si

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AT-41500-GP4
AT-41500-GP4 Broadcom Limited Transistors RF Bipolar Transistor Si

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AT-41500-GP4详情

技术参数

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Broadcom Limited AT-41500-GP4重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    Die

  • 引脚数

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    12V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    200°C TJ

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2009

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    500mW

  • 端子位置

    UPPER

  • 频率

    8GHz

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    500mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    8 GHz

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    12V

  • 最大集电极电流

    60mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    30 @ 10mA 8V

  • 增益

    8dB ~ 17dB

  • 转换频率

    8000MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    20V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    1.5V

  • 连续集电极电流

    60mA

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

  • 辐射硬化

    无

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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公司资质

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AS
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DUNS
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