Broadcom Limited AT-41535G
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AT-41535G
354-AT-41535G
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
4-SMD (35 micro-X)
大陆
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Trans GP BJT NPN 12V 0.06A 4-Pin Case 35 Micro-X
1最小包装量--
AT-41535G详情
Broadcom Limited AT-41535G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD (35 micro-X)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
60mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
O-MRDB-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 10mA 8V
增益
10dB ~ 18dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
频率转换
8GHz
最高频段
S B
噪音数字(分贝类型@ f)
1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
RoHS状态
符合RoHS标准
AT-41535G拓展信息
Broadcom Limited
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