AT-42000-GP4
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Broadcom Limited AT-42000-GP4

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型号

AT-42000-GP4

utmel 编号

354-AT-42000-GP4

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

Die

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Transistors RF Bipolar Transistor Si

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AT-42000-GP4 Broadcom Limited Transistors RF Bipolar Transistor Si

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AT-42000-GP4详情

Broadcom Limited AT-42000-GP4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    Die

  • 引脚数

    2

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    12V

  • 操作温度

    200°C TJ

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2008

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    600mW

  • 频率

    9GHz

  • 功率耗散

    600mW

  • 增益带宽积

    9 GHz

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    12V

  • 最大集电极电流

    80mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    30 @ 35mA 8V

  • 增益

    10.5dB ~ 14dB

  • 集电极基极电压(VCBO)

    20V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    1.5V

  • 连续集电极电流

    80mA

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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