Broadcom Limited AT-42000-GP4
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AT-42000-GP4
354-AT-42000-GP4
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
Die
大陆
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Transistors RF Bipolar Transistor Si
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AT-42000-GP4详情
Broadcom Limited AT-42000-GP4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
引脚数
2
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
操作温度
200°C TJ
包装
Tray
已出版
2008
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
600mW
频率
9GHz
功率耗散
600mW
增益带宽积
9 GHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
80mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 35mA 8V
增益
10.5dB ~ 14dB
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
1.5V
连续集电极电流
80mA
噪音数字(分贝类型@ f)
1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
AT-42000-GP4拓展信息
Broadcom Limited
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