Catalyst Semiconductor CAT5126VP2I-10-GT3

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-WFDFN Exposed Pad

供应商器件包装

8-TDFN (2x3)

终端数量

8

Manufacturer Part Number

CAT5126VP2I-10-GT3

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Part Package Code

SON

Package Description

2 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, MO-229, TDFN-8

Risk Rank

5.8

Moisture Sensitivity Levels

1

Operating Temperature-Max

85 °C

Operating Temperature-Min

-40 °C

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Code

HVSON

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE

Supply Voltage-Nom

5 V

Temperature Coefficient-Nom

50 ppm/°C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Total Resistance-Nom

10000 Ω

Package

Bulk

厂商

Catalyst Semiconductor Inc.

Product Status

活跃

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

-

容差

±20%

JESD-609代码

e4

无铅代码

有

定位的数量

32

端子表面处理

镍钯金

附加功能

不挥发性存储器

电压 - 供电

2.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.5 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-XDSO-N8

资历状况

COMMERCIAL

温度等级

INDUSTRIAL

配置

Potentiometer

界面

I²C

电路数量

1

转换器类型

数字电位器

座位高度-最大

0.8 mm

锥度

Linear

抽头数

32

电阻端电压-最大值

5 V

温度系数(典型值)

±50ppm/°C

电阻(欧姆)

10k

抵抗法

LINEAR

控制界面

INCREMENT/DECREMENT

电阻公差-最大

20%

特征

-

长度

3 mm

宽度

2 mm