Central Semiconductor 2N5961
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2N5961
420-2N5961
分立半导体产品
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Small Signal Bipolar Transistor, 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
1最小包装量--
2N5961详情
Central Semiconductor 2N5961重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
hFEMin
100
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
625 mW
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
100 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
60 V
最大集电极电流
50 mA
集电极基极电压(VCBO)
60 V
发射极基极电压 (VEBO)
8 V
连续集电极电流
100 mA
2N5961拓展信息
Central Semiconductor
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