Central Semiconductor 2N6426

包装/外壳

TO-92

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

hFEMin

20000

包装

Bulk

已出版

2012

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

50nA

转换频率

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

连续集电极电流

450mA

RoHS状态

符合RoHS标准