ON Semiconductor 2N6426

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

供应商器件包装

TO-92-3

质量

201mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Number of Elements

1

hFEMin

30000

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

40V

最大功率耗散

625mW

额定电流

1.2A

基本部件号

2N6426

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

625mW

功率 - 最大

625mW

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

40V

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30000 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500μA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

最大击穿电压

40V

集电极基极电压(VCBO)

40V

发射极基极电压 (VEBO)

12V

连续集电极电流

500mA

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅