Central Semiconductor CMUT5087ETR
- 收藏
- 对比
CMUT5087ETR
420-CMUT5087ETR
分立半导体产品
SC-89, SOT-490
大陆
立即发货

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ULTRAMINI-3
--最小包装量--
CMUT5087ETR详情
Central Semiconductor CMUT5087ETR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-89, SOT-490
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-523
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
CMUT5087ETR
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.72
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-F3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
350mW
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
390 @ 100µA, 5V
最大集极截止电流
50nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
225mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
100MHz
最大耗散功率(Abs)
0.35 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
50 V
CMUT5087ETR拓展信息
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor







哦! 它是空的。