Central Semiconductor CDM4-650TR13

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

底架

表面贴装

供应商器件包装

DPAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

620mW (Ta), 77W (Tc)

RoHS

Compliant

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

620 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.7 Ohm @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

463pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.4nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

30V

连续放电电流(ID)

4 A

输入电容

463 pF

场效应管特性

--

最大rds

2.7 Ω