Central Semiconductor CMLT3820GTR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

底架

表面贴装

供应商器件包装

SOT-563

Current-Collector (Ic) (Max)

1A

Collector-Emitter Saturation Voltage

280 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

hFEMin

100

RoHS

Compliant

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

极性

NPN

元素配置

Single

功率 - 最大

250mW

增益带宽积

150 MHz

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

280 mV

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

280mV @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

转换频率

150 MHz

最大击穿电压

60 V

频率转换

150MHz

集电极基极电压(VCBO)

80 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

连续集电极电流

1 A

无铅

无铅