Central Semiconductor CMLT5087ETR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

底架

表面贴装

供应商器件包装

SOT-563

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

225 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

350

RoHS

Compliant

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

350 mW

极性

PNP

元素配置

Dual

功率 - 最大

350mW

增益带宽积

100 MHz

晶体管类型

2 PNP (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

400 mV

最大集电极电流

100 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 100µA, 5V

最大集极截止电流

50nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

转换频率

100 MHz

最大击穿电压

50 V

频率转换

100MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

连续集电极电流

100 mA