Central Semiconductor CMNDM8001TR
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CMNDM8001TR
420-CMNDM8001TR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Transistor
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CMNDM8001TR详情
Central Semiconductor CMNDM8001TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
80 ns
电阻
45 Ω
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
250 mW
通道数量
1
接通延迟时间
35 ns
漏源电压 (Vdss)
-20 V
连续放电电流(ID)
200 mA
栅极至源极电压(Vgs)
10 V
漏源电阻
2.4 Ω
无铅
无铅
CMNDM8001TR拓展信息
Central Semiconductor
Central Semiconductor
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Central
Central
Central
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Central
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