Central Semiconductor CMPF4392 TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23

材料

Si

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

ECCN (US)

EAR99

HTS

8541.21.00.95

Maximum Drain Source Voltage (V)

40

Maximum Gate Source Voltage (V)

40

Maximum Drain Gate Voltage (V)

40

Maximum Power Dissipation (mW)

350

Minimum Operating Temperature (°C)

-65

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Minimum Drain Saturation Current (mA)

25

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Military

无

Mounting

表面贴装

Package Height

0.96(Max)

Package Length

3.05(Max)

Package Width

1.4(Max)

PCB changed

3

Lead Shape

Gull-wing

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CMPF4392TR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.07

包装

卷带

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率 - 最大

350mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14pF @ 20V

漏源电压 (Vdss)

40V

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

60 Ω

DS 击穿电压-最小值

40 V

信道型

N

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

反馈上限-最大值 (Crss)

3.5 pF

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 20V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

2V @ 1nA

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

40V

电阻-RDS(On)

60 Ohms

RoHS状态

供应商未确认