Central Semiconductor CMPT3906GTR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

底架

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

hFEMin

100

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

250 MHz

Manufacturer Part Number

CMPT3906GTR

Turn-on Time-Max (ton)

70 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

5.1

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

350 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

250 MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

400 mV

最大集电极电流

200 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

最大集极截止电流

--

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

转换频率

250 MHz

最大击穿电压

40 V

频率转换

250MHz

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.2 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

200 mA

集电极-发射器电压-最大值

40 V

无铅

无铅