Central Semiconductor CMPT404ATR

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

hFEMin

100

RoHS

Compliant

Package Description

PLASTIC PACKAGE-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CMPT404ATR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.27

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

350 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

晶体管应用

CHOPPER

极性/通道类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

35 V

集电极基极电压(VCBO)

40 V

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

发射极基极电压 (VEBO)

25 V

集电极电流-最大值(IC)

0.15 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

150 mA

集电极-发射器电压-最大值

35 V

无铅

无铅