Central Semiconductor CMPT5087TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

底架

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50 V

hFEMin

250

RoHS

Compliant

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

40 MHz

Manufacturer Part Number

CMPT5087TR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.12

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

低噪音

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

350 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率 - 最大

350mW

晶体管应用

AMPLIFIER

增益带宽积

40 MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

300 mV

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

250 @ 100µA, 5V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

转换频率

40 MHz

最大击穿电压

50 V

频率转换

40MHz

集电极基极电压(VCBO)

50 V

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

发射极基极电压 (VEBO)

3 V

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

250

连续集电极电流

50 mA

集电极-发射器电压-最大值

50 V

VCEsat-最大值

0.3 V

集电极-基极电容-最大值

4 pF

无铅

无铅