Central Semiconductor CMPTA42ETR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

底架

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

125 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

350 V

hFEMin

50

RoHS

Compliant

Package Description

SOT-23, 3 PIN

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

CMPTA42ETR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.22

Part Package Code

SOT-23

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

350 mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

功率 - 最大

350mW

增益带宽积

75 MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

350 mV

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 30mA, 10V

最大集极截止电流

250nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

350V

转换频率

75 MHz

最大击穿电压

350 V

频率转换

75MHz

集电极基极电压(VCBO)

350 V

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

50

连续集电极电流

500 mA

集电极-发射器电压-最大值

350 V

无铅

无铅