Central Semiconductor CMUDM8004TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-523

底架

表面贴装

供应商器件包装

SOT-523

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

450mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Power Dissipation (Max)

250mW (Ta)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Other Names

CMUDM8004 TR PBFREE CMUDM8004 TR-ND CMUDM8004TR

RoHS

Compliant

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

3.3 Ω

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

通道数量

1

元素配置

Single

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

55pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.88nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

8V

连续放电电流(ID)

450 mA

栅极至源极电压(Vgs)

8 V

漏源击穿电压

-30 V

输入电容

55 pF

场效应管特性

--

漏源电阻

2.6 Ω

最大rds

1.1 Ω

无铅

无铅