Central Semiconductor CMUDM8005TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-523

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-523

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

650mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Power Dissipation (Max)

300mW (Ta)

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CMUDM8005TR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.67

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

Reach合规守则

unknown

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

360 mOhm @ 350mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

100pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.2nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

8V

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.65 A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

场效应管特性

--