Central Semiconductor CMUT3906TR

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

hFEMin

100

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

250 mW

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

250 mW

增益带宽积

250 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

40 V

最大集电极电流

200 mA

集电极基极电压(VCBO)

40 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

最大结点温度（Tj）

150 °C

高度

780 µm