Central Semiconductor CMXT2222ATR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

底架

表面贴装

供应商器件包装

SOT-26

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

RoHS

Compliant

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

350 mW

极性

NPN

元素配置

Dual

功率 - 最大

350mW

增益带宽积

40 MHz

晶体管类型

2 NPN (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

1 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

转换频率

300 MHz

最大击穿电压

40 V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V