Central Semiconductor CWDM305PDTR13
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CWDM305PDTR13
420-CWDM305PDTR13
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 0.083ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
--最小包装量--
CWDM305PDTR13详情
Central Semiconductor CWDM305PDTR13重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
供应商器件包装
8-SOIC
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.3A
Package Description
SOIC-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
CWDM305PDTR13
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Number of Elements
2
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.63
Drain Current-Max (ID)
5.3 A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率 - 最大
2W
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
72 mOhm @ 2.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
590pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
30V
极性/通道类型
P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.083 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
CWDM305PDTR13拓展信息
Central Semiconductor
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Central
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