CXDM4060PTR
CXDM4060PTR

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Central Semiconductor CXDM4060PTR

  • 收藏
  • 对比

型号

CXDM4060PTR

utmel 编号

420-CXDM4060PTR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-243AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 40V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-89, 3 PIN

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
CXDM4060PTR
CXDM4060PTR Central Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 40V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-89, 3 PIN

请发送询价,我们将立即回复。

库存:45000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

CXDM4060PTR详情

Central Semiconductor CXDM4060PTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    TO-243AA

  • 安装类型

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    SOT-89

  • Power Dissipation (Max)

    1.2W (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    6A (Ta)

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    --

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 零件状态

    活跃

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    65 mOhm @ 6A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    750pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6.5nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    40V

  • Vgs(最大值)

    25V

  • 场效应管特性

    --

0个相似型号

CXDM4060PTR拓展信息

CP372-WN
CP372-WN

Central

CP372-CT
CP372-CT

Central

CXDM3069N BK
CXDM3069N BK

Central

2N6037
2N6037

Central Semiconductor

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z