Central Semiconductor CZT2222ATR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

底架

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-223

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Other Names

CZT2222A TR PBFREE CZT2222A TR-ND CZT2222ATR

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

40 V

RoHS

Compliant

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

300 MHz

Manufacturer Part Number

CZT2222ATR

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Turn-off Time-Max (toff)

285 ns

Risk Rank

5.12

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

无

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

2 W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2W

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

300 MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

1 V

最大集电极电流

600 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

40V

转换频率

300 MHz

最大击穿电压

40 V

频率转换

300MHz

集电极基极电压(VCBO)

75 V

最大耗散功率(Abs)

2 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

40 V

VCEsat-最大值

1 V

集电极-基极电容-最大值

8 pF

无铅

无铅