注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.203844
10
¥6.796078
100
¥6.411393
500
¥6.048487
1000
¥5.706115
Central Semiconductor CZTA44HCTR
- 收藏
- 对比
CZTA44HCTR
420-CZTA44HCTR
分立半导体产品
TO-261-4, TO-261AA
大陆
立即发货

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, PLASTIC PACKAGE-4
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CZTA44HCTR详情
Central Semiconductor CZTA44HCTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
SOT-223
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400 V
hFEMin
35
RoHS
Compliant
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
厂商
Central Semiconductor Corp
Product Status
活跃
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
2 W
极性
NPN
元素配置
Single
功率 - 最大
2 W
增益带宽积
10 MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
1.5 V
最大集电极电流
2 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 1A, 10V
最大集极截止电流
500nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 200mA, 2A
电压 - 集射极击穿(最大值)
400 V
转换频率
10 MHz
最大击穿电压
400 V
频率转换
10MHz
集电极基极电压(VCBO)
450 V
发射极基极电压 (VEBO)
7 V
CZTA44HCTR拓展信息
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor
Central Semiconductor






哦! 它是空的。