Central Semiconductor Corp 2N3819

工厂交货时间

6 Weeks

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Bulk

已出版

2001

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

360mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

功率耗散

360mW

晶体管应用

AMPLIFIER

漏源电压 (Vdss)

25V

晶体管类型

N-Channel JFET

连续放电电流(ID)

20mA

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.02A

场效应管技术

JUNCTION

反馈上限-最大值 (Crss)

4 pF

RoHS状态

Non-RoHS Compliant