ON Semiconductor 2N5638RLRA
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2N5638RLRA
1807-2N5638RLRA
晶体管 - JFET
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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JFET N-CH 35V 0.31W TO92
1最小包装量--
2N5638RLRA详情
ON Semiconductor 2N5638RLRA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.95
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
310mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
Reach合规守则
not_compliant
额定电流
10mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
2N5638
引脚数量
3
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10pF @ 12V VGS
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
JUNCTION
反馈上限-最大值 (Crss)
4 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
50mA @ 20V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
35V
电阻-RDS(On)
30Ohm
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
2N5638RLRA拓展信息
ON Semiconductor
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