Central Semiconductor Corp CDM22010-650 SL

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta 156W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1 Ω @ 5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1168pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

650V

Vgs（最大值）

30V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10A

漏极-源极导通最大电阻

1Ohm

DS 击穿电压-最小值

650V

RoHS状态

ROHS3 Compliant