Central Semiconductor Corp CDM22011-600LRFP SL

工厂交货时间

15 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

25W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2015

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

超低电阻

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

360m Ω @ 5.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

763pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23.05nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

30V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

11A

漏极-源极导通最大电阻

0.36Ohm

DS 击穿电压-最小值

600V

RoHS状态

ROHS3 Compliant