Central Semiconductor Corp CMLDM8120 TR

工厂交货时间

21 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

860mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

150mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250μA

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2016

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

150m Ω @ 950mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200pF @ 16V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.56nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.86A

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant