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Central Semiconductor Corp CMPDM8120TR

Name: CMPDM8120TR
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 420-CMPDM8120TR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

CMPDM8120TR

品牌

Central Semiconductor Corp

utmel 编号

420-CMPDM8120TR

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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CMPDM8120TR Central Semiconductor Corp Small Signal Field-Effect Transistor, 0.86A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

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CMPDM8120TR详情

技术参数

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Central Semiconductor Corp CMPDM8120TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Package Description

ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)

0.86 A
Moisture Sensitivity Levels

1
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
JESD-609代码

e3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Matte Tin (Sn)
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)

10
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PDSO-G3
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

P-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.15 Ω
DS 击穿电压-最小值

20 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

0.35 W

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CMPDM8120TR拓展信息

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