Central Semiconductor Corp CTLDM3590 TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-XFDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

160mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125mW Ta

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.46nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

8V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.16A

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V