Central Semiconductor Corp CTLDM8002A-M621H BK

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-XFDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

280mA Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

操作温度

-65°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

附加功能

LOW THRESHOLD, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

JESD-30代码

R-PDSO-N6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.5 Ω @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

70pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.72nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

50V

Vgs（最大值）

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.28A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1.5A

DS 击穿电压-最小值

50V

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准