Comchip Technology FMMT619-G

工厂交货时间

10 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

最大功率耗散

350mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE

功率 - 最大

350mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

220mV

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 2A 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

220mV @ 100mA, 2A

转换频率

100MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

100MHz

RoHS状态

ROHS3 Compliant